Мобильный чипсет, созданный по передовому 3-нм техпроцессу, был выполнен практически полностью с помощью искусственного интеллекта, избавив инженеров от рутинных задач.

Источник изображения: Samsung

Samsung анонсировала свой первый мобильный чип, включающий CPU и GPU, созданный по 3-нм техпроцессу с использованием передовых транзисторов с круговым затвором GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistor). Однако еще более впечатляющим фактом является здесь то, что весь дизайн и оптимизация этого чипа были выполнены с помощью инструментов электронно-компьютерного проектирования (EDA) на базе искусственного интеллекта, а не инженерами, сообщает Techspot. Инструментарий был предоставлен компанией Synopsys.

Пакет Synopsys.ai включает три ключевых автоматизированных инструмента — DSO.ai для проектирования чипов, VSO.ai для функциональной верификации и TSO.ai для тестирования полупроводниковых изделий. Обрабатывая большие объемы данных при помощи моделей глубокого обучения, эти ИИ-модули автоматизируют и ускоряют этапы разработки, которые изначально требуют очень много времени и ресурсов.

Искусственный интеллект оптимизировал в новом 3-нм чипе Samsung буквально все аспекты, начиная от размещения компонентов на кристалле и трассировки, и заканчивая временной синхронизацией, балансировкой производительности и энергопотребления. По заявлению Synopsys, одно только программное обеспечение Fusion Compiler сэкономило инженерам Samsung недели кропотливого ручного труда.

Результаты не могут не заслуживать внимания. Благодаря оптимизированным ИИ-методам, таким как разбиение проекта, многотактовая синхронизация и отображение соединений, чипсет Samsung на 3-нм техпроцессе продемонстрировал прирост тактовой частоты CPU на 300 МГц в сочетании с 10-% экономией динамической мощности по сравнению с первоначально заданными параметрами.

Это первый сложный проект Samsung на ее новейшем 3-нм техпроцессе с транзисторами с круговым затвором, несмотря на то, что Samsung представила коммерческий GAAFET-техпроцесс первой в индустрии почти два года назад. Но до сих пор он использовался лишь для выпуска относительно простых чипов для майнинга криптовалют.

Стоит отметить, что в анонсе Samsung центральное внимание уделено инновационной технологии проектирования, а не самому полученному продукту. Поэтому компания не указала, о каком конкретно мобильном чипе идёт речь. Ранее утверждалось, что первым мобильным 3-нм чипом компании станет Exynos 2300, однако впоследствии Samsung отказалась от его выпуска.

Благодаря поддержке Synopsys, Samsung наконец сможет выйти на рынок высокопроизводительных 3-нм мобильных чипов. Успешное внедрение технологий проектирования на базе ИИ поможет компании быстрее нарастить производство GAAFET-чипов для будущих флагманских смартфонов, планшетов и ноутбуков линейки Galaxy.

Во вторник компания Samsung опубликовала финансовый отчёт, в котором между делом сообщила о желании выпустить «новые премиальные модели смарт-часов».

Источник изображений: Samsung

Согласно слухам, производитель готовит к выпуску серию смарт-часов Galaxy Watch7 Classic, в которую войдут три модели, включая версию Pro. На них ли производитель намекал в своём финансовом отчёте — узнать не удалось. Представители Samsung отказались предоставить какие-либо комментарии обратившемуся с запросом изданию Cnet.

Как пишет портал GSMArena, Galaxy Watch7 получат процессор, который будет на 50 % энергоэффективнее по сравнению с актуальным чипом Samsung Exynos W930 для носимой электроники. Ходят разговоры, что новый чип станет первым SoC для носимой электроники, производящимся согласно технологическому процессу 3 нм. В новой серии смарт-часов может появиться функция мониторинга уровня сахара в крови, но доступна она будет только для старших моделей.

В более ранних слухах говорилось, что следующее мероприятие Samsung Unpacked запланировано на 10 июля. Оно будет проходить в Париже. На нём ожидаются анонсы складных смартфонов Galaxy Z Fold6 и Galaxy Z Flip6, новой серии смарт-часов Watch7 Classic, как минимум одной новой пары беспроводных наушников и полноценный анонс умного кольца Galaxy Ring, которое станет частью экосистемы продуктов Galaxy AI, оснащённых функциями искусственного интеллекта. Кольцо получило различные датчики мониторинга здоровья пользователя и будет работать по принципу смарт-часов, только без дисплея.

Согласно данным StatCounter, в апреле 2024 года в рейтинге популярности интернет-обозревателей существенных изменений не произошло. На ПК лидером остаётся Google Chrome, за которым с большим отрывом следуют Microsoft Edge и Apple Safari. На мобильных устройствах первенство также за Chrome, на втором месте Safari, а третью строчку рейтинга занимает Samsung Internet.

Статистика популярности браузеров в мире. Источник изображения: StatCounter

Доля Google на ПК выросла в апреле на 0,17 процентных пункта до 65,94 %. На мобильных устройствах обозреватель от Google лидирует с долей 65,68 %, увеличив её на 0,39 п.п. Несмотря на столь убедительное преимущество, компания не собирается почивать на лаврах — недавно появилась информация о скором выходе версии Chrome для следующего поколения компьютеров с искусственным интеллектом под управлением Windows 11, построенных на архитектуре Arm.

Microsoft Edge в апреле занял 12,82 % рынка настольных компьютеров, поднявшись на 0,12 п.п. Этот показатель оказался немного ниже, чем максимальная за всю историю доля в 12,96 %, которую обозреватель смог получить на ПК в конце 2023 года. Мобильная версия Edge не может похвастаться подобными успехами и занимает лишь девятое место в рейтинге с долей всего 0,39 %. Несмотря на спорную тактику принудительного внедрения Edge пользователям Windows, Microsoft заслуживает похвалы за действительное улучшение своего обозревателя с помощью новых функций на базе искусственного интеллекта.

Статистика популярности ПК-браузеров в мире

Третье место среди обозревателей для ПК занимает Apple Safari с долей 8,44 %. Несмотря на падение на 0,19 п. п., Safari по-прежнему заметно опережает Firefox, который используют 6,67 % пользователей. В рейтинге мобильных обозревателей Safari закрепился на втором месте с рыночной долей в 23,75 %, а бронза — у Samsung Internet с долей 4,33 %.

Осведомлённые источники сообщают, что Mozilla собирается сместить фокус со своего легендарного обозревателя с открытым исходным кодом и сосредоточить усилия на сервисах искусственного интеллекта. Подобное изменение политики может поставить крест на будущем единственного независимого веб-обозревателя.

Компания Samsung разрабатывает транзисторы GAA (Gate-all-Around) нового поколения, которые будут применяться в чипах, производимых по её 2-нм техпроцессе. Компания планирует внедрить технологию в следующем году. Об этом сообщает южнокорейское издание Business Korea, ссылающееся на свои источники в отрасли.

Источник изображений: Samsung

Со ссылкой на свои источники издание также отмечает, что Samsung собирается представить доклад о третьем поколении технологии GAA для своего 2-нм техпроцесса (SF2) в рамках конференции по вопросам полупроводниковых технологий VLSI Symposium 2024, которая будет проходить на Гавайях с 16 по 20 июня.

Технология GAA, которую первой в мире поставила на коммерческие рельсы именно компания Samsung, это технология производства транзисторов с затвором, который полностью окружает канал. Поскольку с каждым переходом на новый техпроцесс транзисторы в составе полупроводника становятся меньше, контролировать движение тока в них становится всё сложнее. Однако GAA предлагает совершенно новую архитектуру транзистора, которая позволяет повысить его энергоэффективность.

В настоящий момент Samsung является единственной компанией в мире, которая может массово применять технологию GAA-транзисторов для производства чипов. Она приступила к исследованию GAA ещё в начале 2000-х годов и впервые внедрила её для своего 3-нм техпроцесса в 2022 году. Однако из-за мировой экономической нестабильности, высокой стоимости производства, а также ограниченной клиентской базы в таких секторах, как мобильные устройства, спрос на 3-нм техпроцесс Samsung оказался несущественным. Как результат, лидерство в производстве 3-нм чипов перешло к тайваньскому контрактному производителю чипов TSMC, который использует более традиционные (и дешёвые) методы производства транзисторов.

В ответ Samsung готовит второе поколение транзисторов GAA для 3-нм техпроцесса, которое она собирается представить в течение этого года. А в следующем году компания представит третье поколение GAA для 2-нм техпроцесса, чтобы закрепить лидерство в этом направлении. TSMC и Intel тоже планируют в конечном итоге перейти на использование технологии GAA с переходом на 2-нм техпроцесс производства, но случится это позже, чем у Samsung. Таким образом, у южнокорейской компании будет некое преимущество перед конкурентами. По крайней мере в теории.

Официальное название технологии GAA от Samsung — MBCFET. Первое поколение GAA для техпроцесса 3 нм по сравнению с предыдущим поколением FinFET-транзисторов Samsung обеспечило 23-процентную прибавку в производительности, 16-процентное увеличение плотности и 45-процентное повышение энергоэффективности. Второе поколение GAA для 3 нм техпроцесса, как ожидается, обеспечит 30-процентную прибавку в производительности, 35-процентное повышение плотности, а также 50-процентное снижение в энергопотреблении. Что касается третьего поколения MBCFET, то для него также ожидается значительная прибавка в производительности с более чем 50-процентным повышением энергоэффективности по сравнению с предыдущим поколением технологии.

к публикации квартальной отчётности традиционно подходит поэтапно, сначала называя собственный прогноз в этой сфере, затем подводя предварительные итоги квартала, и только потом раскрывая полную отчётность. На третьем этапе этого пути уже можно утверждать, что бизнес Samsung по производству памяти вернулся к прибыльности.

Впрочем, если быть до конца точными, речь идёт о всём бизнесе Device Solutions, который отвечает за выпуск полупроводниковых компонентов для собственных нужд компании и сторонних клиентов. Операционная прибыль на этом направлении по итогам первого квартала достигла $1,38 млрд, тогда как годом ранее наблюдались операционные убытки в размере $3,3 млрд, а в четвёртом квартале прошлого года они достигали $1,58 млрд.

Эксперты считают, что подобной динамике операционной прибыли подразделения DS способствовало не только восстановление спроса на разные виды памяти, но и активный рост потребности в микросхемах HBM, которые нужны для производства ускорителей вычислений. Впрочем, снабжать Nvidia своей памятью типа HBM3E компания Samsung только начинает, поэтому основная динамика на этом направлении ещё впереди. Во втором квартале компания приступит к выпуску не только 12-ярусных стеков HBM3E, но и 128-гигабайтных модулей DDR5 для серверного применения. Полупроводниковое подразделение Samsung, по прогнозам руководства компании, в этом году по операционной прибыли выйдет на уровень 2022 года, что соответствует $7,26 млрд. Прошлый год для компании был очень неудачным из-за падения спроса и цен на микросхемы памяти. Выручка Samsung в полупроводниковом сегменте по итогам первого квартала выросла на 68 % до $16,8 млрд. Непосредственно выручка Samsung от поставок микросхем памяти в прошлом квартале выросла на 96 % до $12,7 млрд.

Как уже отмечалось ранее, совокупная выручка Samsung по итогам первого квартала выросла на 12,81 % в годовом сравнении до $52,3 млрд, а операционная прибыль взлетела на 932,8 % до $4,8 млрд. Обе суммы оказались выше ожиданий аналитиков и собственных прогнозов компании, а операционная прибыль достигла максимальной величины с третьего квартала 2022 года. Росту выручки, по мнению руководства, способствовали успех смартфонов семейства Galaxy S24 и сосредоточенность компании на выпуске более дорогих видов памяти, которые ещё и поднялись в цене. Эксперты Citi считают, что дальнейшее развитие рынка систем искусственного интеллекта подстегнёт спрос на твердотельную память типа NAND, поскольку накопители данных станут узким местом с точки зрения дальнейшего масштабирования производительности. Являясь крупнейшим производителем памяти, Samsung сможет неплохо на этом заработать.

Во втором квартале Samsung ожидает сезонного снижения спроса на смартфоны и память, поскольку анонс новых продуктов сосредоточен в первом и третьем кварталах года, а второй в этом смысле не демонстрирует оживления. Функции искусственного интеллекта Samsung будет прививать не только новым смартфонам, но и уже существующим моделям, во второй половине года компания ожидает роста спроса на мобильные устройства с функциями ИИ. Операционная прибыль Samsung на направлении смартфонов по итогам первого квартала незначительно снизилась в годовом сравнении до $2,54 млрд. Выручка Samsung в сегменте мобильных устройств составила $24,3 млрд. По словам представителей Samsung, более половины покупателей Galaxy S24 выбрали смартфоны флагманской серии именно из-за функций работы с искусственным интеллектом, а 60 % владельцев этих моделей регулярно пользуются этими функциями.

На контрактном направлении освоение 3-нм и 2-нм техпроцессов идёт в соответствии с ожиданиями Samsung. Выпуском 3-нм продукции Samsung занимается с 2022 года, а 2-нм чипы начнёт массового производить в 2025 году. На направлении дисплеев операционная прибыль в первом квартале сократилась в два с лишним раза по сравнению с прошлым годом, до $247 млн. Объёмы поставок микросхем HBM компания в текущем году собирается увеличить более чем в три раза. В структуре поставок данного типа памяти новейшая HBM3E будет составлять две трети к концу текущего года.

Данные берутся из публикации Обзор QD-OLED DQHD-монитора Samsung Odyssey OLED G9 G95SC: игровой универсал

Успех SK hynix в качестве главного поставщика памяти типа HBM был накануне подтверждён финансовой отчётностью компании, тогда как более крупный конкурент в лице Samsung Electronics в этом сегменте рынка остаётся на вторых ролях. Впрочем, это не помешало ему заключить контракт на поставку HBM3E с компанией AMD на сумму $3 млрд.

Источник изображения: Samsung Electronics

Об этой сделке сообщает TrendForce со ссылкой на южнокорейские СМИ. По их данным, во второй половине текущего года AMD рассчитывает выпустить ускорители вычислений Instinct MI350, и Samsung будет снабжать их своими 12-ярусными микросхемами памяти типа HBM3E. Сообщается, что сделка предполагает своего рода «бартер»: часть микросхем памяти будет обменяна на ускорители AMD. Выпускать непосредственно чипы ускорителей Instinct MI350 будет компания TSMC по 4-нм технологии. Кроме того, AMD ведёт переговоры с Samsung на тему контрактного производства своих чипов, но указанный контракт на поставку HBM3E никак к данной теме не относится.

Ещё в октябре 2023 года компания Samsung представила микросхемы HBM3E семейства Shinebolt, а в феврале текущего продемонстрировала их в 12-ярусном исполнении, позволяющем формировать в одном стеке до 36 Гбайт памяти этого типа. Массовое производство подобных чипов начнётся во второй половине 2024 года. Они в полтора раза увеличивают пропускную способность, до 1280 Гбайт/с. Высота 12-ярусных чипов за счёт использования более прогрессивной технологии упаковки остаётся на уровне 8-ярусных чипов прежнего поколения. Двенадцатиярусные стеки памяти поднимают быстродействие в задачах искусственного интеллекта на 34 % в среднем по сравнению с 8-ярусными.

Компания Samsung сообщила, что начала массовое производство флеш-памяти 3D V-NAND TLC 9-го поколения ёмкостью 1 Тбит. Новые чипы предлагают повышенную плотность и энергоэффективность по сравнению микросхемами памяти 3D V-NAND TLC 8-го поколения.

Источник изображения: Samsung

Производитель не уточнил количество слоёв, использующихся в составе памяти 3D V-NAND TLC 9-го поколения ёмкостью 1 Тбит, а также техпроцесс, который используется для их производства. Однако Samsung отметила, что благодаря самому компактному в отрасли размеру ячеек битовая плотность чипов 3D V-NAND TLC 9-го поколения была улучшена примерно на 50 % по сравнению с памятью 3D V-NAND TLC предыдущего поколения. Производитель также сообщил, что в новых микросхемах памяти применяется технология предотвращения помех, у ячеек увеличен срок службы, а отказ от фиктивных отверстий в токопроводящих каналах позволил значительно уменьшить планарную площадь ячеек памяти.

Флеш-память 3D V-NAND TLC 9-го поколения оснащена интерфейсом нового поколения Toggle 5.1, который увеличил скорость ввода/вывода данных на 33 % до 3,2 Гбит/с на контакт. Наряду с этим компания сократила энергопотребление на 10 % относительно прошлого поколения.

Во второй половине года Samsung планирует начать производство 3D V-NAND девятого поколения ёмкостью 1 Тбит с ячейками QLC.

Seagate разослала письма крупным клиентам, уведомив о немедленном повышении цен на все жёсткие диски — не так давно на аналогичный шаг пошла Western Digital.

Источник изображения: Seagate.

В письме от 18 апреля основными причинами повышения цен Seagate называет возросший спрос, недостаток производственных мощностей и инфляцию. Увеличенные цены распространяются на все новые заказы, начиная с сегодняшнего дня. Кроме того, компания предупредила, что это не последнее повышение цен в этом году.

Повышение цен на диски Seagate не стало сюрпризом. Компания пересмотрела прайс-лист вслед за Western Digital, кроме того цены на свою продукцию увеличили производители твердотельных дисков и флеш-памяти, среди которых Micron и Samsung. Производители в один голос утверждают, что рост потребления накопителей данных обусловлен бурным развитием ИИ-технологий, однако не исключено, что попутно они пытаются заработать после продолжавшегося несколько кварталов снижения прибылей.

Некоторое время назад участились жалобы на зелёные полосы, возникающие на экранах некоторых смартфонов Samsung Galaxy, хотя первые упоминания о проблеме встречались ещё в прошлом году. Samsung начала предлагать пострадавшим бесплатную замену дисплея — правда, пока это больше походит на некий эксперимент.

Источник изображения: androidauthority.com

Замена дисплея предлагается для смартфонов серий Galaxy S20, Galaxy S21, Galaxy Note 20 и Galaxy S22 только в Индии, а подать заявку необходимо до 30 апреля 2024 года. При этом смартфон должен быть приобретён не более трёх лет назад.

У многих пользователей проблемы с зелёными полосами начали проявляться после обновления программного обеспечения, однако виной тому, вероятно, сочетание сразу нескольких факторов.

Ещё по итогам мартовской конференции GTC 2024, если верить публикации в социальной сети LinkedIn главы американского представительства Samsung Electronics, основатель Nvidia Дженсен Хуанг (Jensen Huang) одобрил использование микросхем памяти типа HBM3E этой корейской марки своими ускорителями вычислений. Теперь стало известно, что их поставки могут начаться до конца текущего полугодия.

Источник изображения: LinkedIn

Новости на эту тему в минувшую пятницу опубликовал южнокорейский ресурс Maeil Business Newspaper. Сейчас, как уточняет источник, микросхемы HBM3E компании Samsung в 8- и 12-ярусном исполнении проходят последние фазы тестирования, и серийные поставки для нужд Nvidia могут начаться уже до конца первого полугодия. Если учесть, что аналитики предрекали начало поставок либо в третьем квартале, либо даже в четвёртом, то подобный сценарий на этом фоне кажется более оптимистичным.

Способность Nvidia использовать 12-слойные стеки памяти типа HBM3E позволит компании увеличить объём памяти своих ускорителей вычислений, по этой причине продукция Samsung должна быть ею востребована. Кроме того, наличие в ассортименте продукции этого поставщика 8-слойных микросхем HBM3E позволит Nvidia претендовать на более привлекательные цены за счёт усиления конкуренции с SK hynix. В целом, во втором полугодии это может привести к снижению цен на микросхемы памяти HBM3E.

За последние дни в интернете появилось множество сообщений от пользователей смартфонов Samsung серии Galaxy S21, которые столкнулись с тем, что на экране их устройств появилась вертикальная зелёная линия. «Проблема с зелёной линией», как её окрестили интернет-пользователи, проявляется в том, что через весь экран устройства проходит линия зелёного цвета, которую невозможно убрать. Чаще всего с проблемой сталкиваются владельцы устройств Galaxy S21 Ultra и Galaxy S21 FE.

Источник изображения: androidauthority.com

На данный момент точно неизвестно, что именно является причиной появления на экране смартфонов зелёной линии. Некоторые пользователи связывают проблему с обновлением программного обеспечением, тогда как другие склонны полагать, что это происходит из-за интенсивного использования устройства, например, после длительных игровых сессий. В социальной сети X (бывшая Twitter) одни пользователи говорят о появлении зелёной линии после обновления программного обеспечения Galaxy S21 FE, тогда как другие столкнулись с проблемой после установки апрельского патча на Galaxy S21 Ultra.

Наиболее вероятной причиной появления зелёной линии на экране является неисправность разъёма дисплея или повреждение гибкого шлейфа, который соединяет панель с основной платой смартфона. Возникновение проблемы примерно в то время, когда устройства обновлялись, может быть простым совпадением.

С другой стороны, в прошлом пользователи смартфонов Samsung уже сталкивались с похожими проблемами и тогда причина сбоя была именно в обновлениях. Возможно, поступающие на устройства обновления в сочетании с факторами окружающей среды могли стать причиной выделения достаточного количества тепловой энергии (особенно на устройствах с процессорами Exynos), чтобы вызвать сбой или усугубить существовавший аппаратный дефект. Некоторые пользователи предполагают, что из-за повышенного тепловыделения мог ослабнуть клей, соединяющий компоненты дисплея. Эта версия маловероятна, поскольку в процессе продолжительных игровых сессий устройство также греется достаточно сильно, но проблема с зелёной линией возникает не так часто.

Samsung ещё не подтвердила официально наличие проблемы. Однако в прошлом, когда с похожими проблемами сталкивались владельцы смартфонов Galaxy S20, компания предлагала замену или ремонт дефектных устройств. Пользователям, которые столкнулись с упомянутой проблемой, рекомендуется задокументировать её и обратиться в поддержку производителя.

Чтобы справиться с растущими проблемами в бизнесе, Samsung решила перевести руководителей на шестидневный рабочий график. Новая политика стала отражением неутешительных финансовых результатов Samsung в прошлом году, а также глобальных экономических проблем вроде роста стоимости заёмных средств и цен на нефть, а также падения курса корейской валюты.

Источник изображения: Samsung

«Учитывая, что показатели основных подразделений, включая Samsung Electronics Co, в 2023 году не оправдали ожиданий, мы вводим шестидневную рабочую неделю для руководства, дабы оно ощутило кризисность ситуации и приложило все силы для её устранения», — сообщил один из руководителей Samsung Group.

Samsung приходится конкурировать в производстве высокоскоростной памяти для ИИ с другими поставщиками вроде SK Hynix. Пережив худший финансовый год за более чем десять лет, Samsung впервые за пять кварталов объявила о прибыли после восстановления спроса на чипы.

The Korea Economic Daily сообщает, что руководители некоторых подразделений Samsung добровольно перешли на шестидневный график ещё в начале года, однако теперь это стало обязательным, в том числе для Samsung Electronics, Samsung SDI и Samsung SDS, не придерживавшихся этой инициативы ранее. Сообщается, что сотрудников вне руководящих должностей изменения не коснутся.

Правительство США с начала текущего года активизировало свою деятельность по распределению субсидий и льготных кредитов по «Закону о чипах» среди тех компаний, которые хотят построить на территории страны новые современные предприятия по выпуску полупроводниковых компонентов. Министр торговли США Джина Раймондо (Gina Raimondo) заявила, что оставшиеся средства будут распределены между соискателями до конца текущего года.

Источник изображения: Micron Technology

Эти слова, по данным CNBC, прозвучали на церемонии, посвящённой выделению компании Samsung Electronics субсидий в размере $6,4 млрд на строительство четырёх новых объектов на территории штата Техас. Среди них, напомним, будет предприятие по выпуску 2-нм продукции, а также линия по производству памяти HBM и упаковке её на одну подложку с чипами сторонней разработки. До этого власти США уже выделили $8,5 млрд субсидий компании Intel и $6,6 млрд тайваньской компании TSMC, которые также взяли на себя обязательства построить в США новые предприятия по выпуску чипов.

Как поясняет Seeking Alpha, в совокупности с первыми субсидиями по этому закону, которые достались GlobalFoundries, BAE Systems и Microchip, правительство США сейчас располагает примерно $16 млрд оставшихся средств, которые будут направлены на субсидирование строительства новых предприятий. Отдельно распределяются льготные кредиты, их общая сумма достигает $75 млрд, но $11 млрд из этого количества уже обещаны Intel, а $5 млрд — компании TSMC. Министр торговли США заявила на этой неделе, что весь оставшийся бюджет по принятому ещё в 2022 году «Закону о чипах» будет распределён до конца текущего года. Напомним, что непосредственно на субсидирование строительства предприятий было выделено $39 млрд, а оставшаяся часть общей суммы в $52,7 млрд должна быть направлена на поддержку научно-исследовательской деятельности в США.

Интересно, что оставшиеся в бюджете средства Раймондо пообещала направить на поддержку преимущественно проектов, связанных с производством микросхем памяти и имеющих отношение к поставкам расходных материалов типа кремниевых пластин и химикатов. Стало быть, Micron Technology вполне может претендовать на часть из оставшихся $16 млрд, поскольку собирается развивать на территории двух американских штатов производство микросхем памяти.

Компания Samsung сообщила о разработке энергоэффективной оперативной памяти LPDDR5X DRAM, обладающей скоростью передачи данных до 10,7 Гбит/с на контакт, что является самым высоким показателем в индустрии. Конкуренты ничего подобного предложить пока что не могут.

Источник изображения: Samsung

Память Samsung LPDDR5X DRAM со скоростью 10,7 Гбит/с производится с применением 12-нм техпроцесса. Компания отмечает, что ей удалось разработать самые компактные чипы LPDDR5X на рынке.

Новая память Samsung не только обеспечивает на 25 % более высокую производительность и обладает на 30 % более высокой плотностью по сравнению с предыдущим поколением памяти LPDDR5X, но также позволяет увеличить ёмкость одного комплекта мобильной DRAM до 32 Гбайт, «что делает её оптимальным решением для устройств эпохи искусственного интеллекта, которым требуется высокопроизводительная, более ёмкая и энергоэффективная оперативная память».

Производитель отмечает, что его новая память LPDDR5X сочетает специализированные технологии энергосбережения, такие как оптимизированное изменение мощности, которое регулирует мощность в соответствии с рабочей нагрузкой, а также расширенные интервалы режима пониженного энергопотребления, которые продлевают периоды энергосбережения. Эти улучшения повышают энергоэффективность памяти на 25 % по сравнению с предыдущим поколением, что позволяет мобильным устройствам с её применением обеспечивать более продолжительное время автономной работы.

Массовое производство памяти Samsung LPDDR5X со скоростью 10,7 Гбит/с начнётся во второй половине текущего года, следом за всеми необходимыми проверками со стороны производителей мобильных платформ и устройств на их основе.